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Integración electrónica común del diodo TO-220 del cátodo de S20C45C 20A 45V

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Certificación: CE

Número de modelo: S20C45C

Pago y términos de envío

Cantidad de orden mínima: 1pcs

Precio: Negotiated

Tiempo de entrega: 5-8weeks

Común: 8000

Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente: 600.000 corazones

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Punto culminante:

diodo común del cátodo 20A

,

diodo común del cátodo 45V

,

S20C45C

Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM:
45V
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM:
45V
Integración electrónica común del diodo TO-220 del cátodo de S20C45C 20A 45V

S20C45C 20A 45V Diodo catódico común TO-220 Integración electrónica

Encuentre información aquí en stock.xlsx

 

S20C45C Dual Diode 20A 45V diseñado como un chip de barrera Schottky que ofrece una baja caída de voltaje hacia adelante, bajo ruido de conmutación y una alta capacidad de corriente de sobretensiones.Estos tipos de diodos tienen una alta capacidad de corriente y funcionan según el principio de la barrera de SchottkyLa barrera de Schottky indica que una barrera potencial de electrones generados en una unión metal-semiconductor.

El diodo rectificador de la barrera de Schottky ampliamente utilizado en aplicaciones de RF como un diodo mezclador o detector.Debido a sus características de baja caída de voltaje hacia adelante hace crucial a niveles más bajos de pérdida de potencia en contraste con los diodos de unión PN normalAsí lo hace ideal para aplicaciones de energía como rectificador.

En este diodo Schotkey, una conexión se forma entre el metal y el semiconductor para formar la barrera de Schottky.El voltaje de avance del diodo depende de la selección de la combinación de metal y semiconductorTanto el semiconductor tipo p como el semiconductor tipo n pueden aumentar las barreras de Schottky, pero el semiconductor tipo p tiene un contraste de voltaje hacia adelante bajo con el semiconductor tipo n.

Como un voltaje hacia adelante es inversamente proporcional a la corriente de salida, es decir, si este voltaje es bajo, entonces la corriente de salida inversa es alta, lo que no es preferible.Estamos usando material semiconductor de tipo n en este diodoEn general, los diodos utilizan platino, tungsteno o cromo, molibdeno, silicuro de paladio, silicuro de platino, oro, etc. como metales.

Como se muestra en la figura siguiente, cuando el voltaje aplicado al diodo de tal manera que el metal +Ve con respecto al semiconductor.Es un dispositivo unipolar ya que tiene electrones como portadores de carga mayoritarios en ambos lados de la uniónCuando estos dos entran en contacto entre sí, los electrones comienzan a fluir en ambas direcciones a través de la interfaz de semiconductor metálico.

 

S20C45C Diodo doble 20A 45V

  • Ventilación inversa máxima repetitiva VRRM: 45 V
  • RMS Voltado inverso VR ((RMS): 32V
  • Se aplicará una corriente inversa instantánea máxima a TC=100oC, IR: 20mA.
  • Baja pérdida de energía, alta eficiencia.
  • Baja tensión de avance, capacidad de corriente alta
  • Capacidad de alta sobrecarga.
  • Para su uso en inversores de baja tensión y alta frecuencia de ruedas libres y aplicaciones de protección de polaridad.

Las aplicaciones

  • Utilizado para rectificación de alta frecuencia de bajo voltaje
  • Puede utilizarse como diodo de protección de polaridad
  • Puede utilizarse como diodo de rueda libre

 

Integración electrónica común del diodo TO-220 del cátodo de S20C45C 20A 45V 0Integración electrónica común del diodo TO-220 del cátodo de S20C45C 20A 45V 1Integración electrónica común del diodo TO-220 del cátodo de S20C45C 20A 45V 2

 

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