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MOSFETs duales de alta velocidad e IGBTs de For Power del conductor del MOSFET de NCS20074DTBR2G

Detalles del producto

Nombre de la marca: ON Semiconductor

Certificación: ROHS

Número de modelo: NCS20074DTBR2G

Pago y términos de envío

Cantidad de orden mínima: 1pcs

Precio: Negotiated

Detalles de empaquetado: Tray/REEL

Tiempo de entrega: 3-15days

Común: 8000

Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente: 1000PCS

Consiga el mejor precio
Punto culminante:

Conductor dual del MOSFET de 1

,

2 megaciclos

,

Conductor dual del MOSFET de IGBTs

Fabricante Product Number:
NCS20074DTBR2G
Número de canales:
2
Gama de voltaje entrado:
±15 V
Gama del voltaje de fuente:
4.5V a 18V
Tarifa de ciénaga:
0,3 V/μs
Producto del ancho de banda del aumento:
1,2 MHz
Fabricante Product Number:
NCS20074DTBR2G
Número de canales:
2
Gama de voltaje entrado:
±15 V
Gama del voltaje de fuente:
4.5V a 18V
Tarifa de ciénaga:
0,3 V/μs
Producto del ancho de banda del aumento:
1,2 MHz
MOSFETs duales de alta velocidad e IGBTs de For Power del conductor del MOSFET de NCS20074DTBR2G

NCS20074DTBR2G - Controlador MOSFET dual de alta velocidad para MOSFET de potencia e IGBT

 

Encuentre información aquí en stock.xlsx

Introducción:

El NCS20074DTBR2G es un controlador MOSFET dual de alta velocidad diseñado para controlar dos MOSFET o IGBT de canal N en una configuración de medio puente.Su rápido tiempo de subida y bajada (15 ns típico) y su amplio rango de voltaje de entrada (4,5 V a 18 V) lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.

 

Aplicaciones:

Convertidores CC-CC, accionamientos de motor, inversores de potencia

 

Atributos del producto:

Atributos del producto Especificaciones
Marca en semiconductores
Rango de voltaje de suministro 4.5V a 18V
Corriente de salida Pico 4A
Tiempo de subida/bajada 15ns típico
Tipo de paquete TSSOP-8
Temperatura de funcionamiento -40°C a 125°C

 

Más productos:

  1. NCV8402ASTT1G - Controlador MOSFET dual de alta velocidad
  2. NCP5181DT50RKG - Controlador MOSFET doble con ciclo de trabajo del 50 %
  3. NCP5181DR2G - Controlador MOSFET dual de alta velocidad con habilitación
  4. NCP5106ADR2G - Controlador MOSFET de medio puente de alto voltaje
  5. NCV8401ASTT1G - Controlador MOSFET cuádruple con activación
  6. NCP5108ADR2G - Controlador MOSFET de medio puente de alto voltaje
  7. NCV8401STT1G - Controlador MOSFET cuádruple de alta velocidad
  8. NCP5182DR2G - Controlador MOSFET de medio puente de alta velocidad con habilitación
  9. NCP5111DR2G - Controlador MOSFET doble con ciclo de trabajo del 50 %
  10. NCP51705DR2G - Controlador MOSFET de medio puente con Bootstrap integrado

MOSFETs duales de alta velocidad e IGBTs de For Power del conductor del MOSFET de NCS20074DTBR2G 0MOSFETs duales de alta velocidad e IGBTs de For Power del conductor del MOSFET de NCS20074DTBR2G 1MOSFETs duales de alta velocidad e IGBTs de For Power del conductor del MOSFET de NCS20074DTBR2G 2

Preguntas más frecuentes:

P1: ¿Cuál es el voltaje máximo que puede manejar el NCS20074DTBR2G?

R: El NCS20074DTBR2G tiene un voltaje de entrada máximo de 18 V.

 

P2: ¿Cuál es la corriente de salida del NCS20074DTBR2G?

R: El NCS20074DTBR2G puede proporcionar una corriente de salida máxima de 4A.

 

P3: ¿Cuál es el tipo de paquete del NCS20074DTBR2G?

R: El NCS20074DTBR2G viene en un paquete TSSOP-8.

 

P4: ¿Cuáles son algunas aplicaciones comunes del NCS20074DTBR2G?

R: El NCS20074DTBR2G se usa comúnmente en convertidores CC-CC, accionamientos de motor e inversores de potencia.

 

P5: ¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento del NCS20074DTBR2G?

R: El NCS20074DTBR2G puede funcionar a temperaturas que oscilan entre -40 °C y 125 °C.